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ASML推出全新Hyper-NA EUV技术,预计2030年问世引领半导体新篇章

2024-03-04 全网动态 加入收藏
2月17日消息,持续提升芯片性能的关键在于不断缩小晶体管尺寸,而半导体行业对此的探索从未止步。然而,随着技术的发展,光刻技术也面临着一些挑战。ASML首席技术官Martin van den Brink曾在2022年9月表示,经过数十年的创新,High-NA EUV可能已接近

2月17日消息,持续提升芯片性能的关键在于不断缩小晶体管尺寸,而半导体行业对此的探索从未止步。然而,随着技术的发展,光刻技术也面临着一些挑战。

ASML首席技术官Martin van den Brink曾在2022年9月表示,经过数十年的创新,High-NA EUV可能已接近其技术极限。然而,令人欣喜的是,在经过一年多的深入探索后,ASML在《2023年度报告》中提出了一个全新的概念——Hyper-NA EUV,预计将在2030年左右问世。

据了解,Brink在报告中指出,Hyper-NA的数值孔径(NA)高于0.7,这将为半导体行业带来新的机遇。与High-NA EUV相比,Hyper-NA在成本上更具优势,同时它还能为DRAM等领域带来新的可能性。对于ASML而言,Hyper-NA有望推动其整体EUV能力的提升,从而改善成本和交付周期。

目前,ASML的Low-NA EUV光刻工具已经能够支持4nm/5nm工艺芯片的生产。然而,随着工艺的不断进步,3nm及以下的工艺对光刻技术的要求也在不断提高。尽管High-NA EUV在一定程度上能够满足这些需求,但金属间距在1nm之后的进一步缩小仍然是一个巨大的挑战。

为了应对这一挑战,ASML正在积极研究Hyper-NA技术的可行性。虽然目前还没有做出最终决定,但公司已经在探索开发这种更先进的光刻工具。然而,提高投影光学器件的数值孔径不仅需要巨大的投资,还需要重新设计光刻工具和开发新的组件,这无疑将增加成本的压力。

根据微电子研究中心(IMEC)的路线图,到2030年左右,半导体工艺有望推进到A7 0.7nm。而在这个过程中,Hyper-NA EUV技术有望发挥关键作用。当然,随着技术的不断进步和市场需求的不断变化,半导体行业还需要持续探索和创新,以应对未来的挑战和机遇。

标签: ASML
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