ASML推出全新Hyper-NA EUV技术，预计2030年问世引领半导体新篇章

2月17日消息，持续提升芯片性能的关键在于不断缩小晶体管尺寸，而半导体行业对此的探索从未止步。然而，随着技术的发展，光刻技术也面临着一些挑战。

ASML首席技术官Martin van den Brink曾在2022年9月表示，经过数十年的创新，High-NA EUV可能已接近其技术极限。然而，令人欣喜的是，在经过一年多的深入探索后，ASML在《2023年度报告》中提出了一个全新的概念——Hyper-NA EUV，预计将在2030年左右问世。

据了解，Brink在报告中指出，Hyper-NA的数值孔径(NA)高于0.7，这将为半导体行业带来新的机遇。与High-NA EUV相比，Hyper-NA在成本上更具优势，同时它还能为DRAM等领域带来新的可能性。对于ASML而言，Hyper-NA有望推动其整体EUV能力的提升，从而改善成本和交付周期。

目前，ASML的Low-NA EUV光刻工具已经能够支持4nm/5nm工艺芯片的生产。然而，随着工艺的不断进步，3nm及以下的工艺对光刻技术的要求也在不断提高。尽管High-NA EUV在一定程度上能够满足这些需求，但金属间距在1nm之后的进一步缩小仍然是一个巨大的挑战。

为了应对这一挑战，ASML正在积极研究Hyper-NA技术的可行性。虽然目前还没有做出最终决定，但公司已经在探索开发这种更先进的光刻工具。然而，提高投影光学器件的数值孔径不仅需要巨大的投资，还需要重新设计光刻工具和开发新的组件，这无疑将增加成本的压力。

根据微电子研究中心(IMEC)的路线图，到2030年左右，半导体工艺有望推进到A7 0.7nm。而在这个过程中，Hyper-NA EUV技术有望发挥关键作用。当然，随着技术的不断进步和市场需求的不断变化，半导体行业还需要持续探索和创新，以应对未来的挑战和机遇。