高带宽存储器技术崛起：三星和美光积极扩大产能

11月8日消息，近日，面对消费级存储市场低迷，高带宽存储器(HBM)技术崭露头角，据最新报告，三星和美光两家知名公司正积极筹备扩展HBM DRAM产能，为未来的技术挑战和市场需求做好准备。

三星电子不遗余力，投入了105亿韩元，完成了对其位于韩国天安市的工厂和设备的一轮收购，旨在扩大HBM产能。此外，三星计划再投资7000亿至1万亿韩元，用于新建封装线，加强其HBM生产能力。据了解，三星电子已经成功开发出速度达9.8Gbps的HBM3E，并计划开始向客户提供样品，这标志着他们在HBM领域的积极发展。而更令人期待的是，三星电子正在全力开发HBM4技术，计划在2025年正式发布。HBM4的研发涵盖多个技术领域，包括高温热特性和混合键合(HCB)优化的非导电胶膜(NCF)组装技术等，以应对未来市场需求。

美光也在积极扩大HBM生产，于11月6日在台中设立了新工厂，该设施将集成先进的测试和封装功能，并专注于大规模生产HBM3E和其他相关产品。美光首席执行官Sanjay Mehrotra透露，他们计划在2024年初开始大规模出货HBM3E，这一技术目前正在接受NVIDIA的认证，初期产品将采用8-Hi堆栈设计，容量达到24GB，带宽超过1.2TB/s。而更大容量的36GB 12-Hi堆栈HBM3E也计划在2024年推出，美光预计新的HBM技术将在2024年为公司贡献“数亿美元”的收入，展现出市场前景的广阔。根据市场趋势，HBM技术将成为存储行业的重要驱动力，同时也将满足人工智能、数据中心、边缘计算和云服务等不断增长的应用需求。